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集成電路特點 集成電路具有體積小，重量輕，引出線和焊接點少，壽命長，可靠性高，性能好等優點，同時成本低，便于大規模生產。它不僅在工、民用電子設備如收錄機、電視機、計算機等方面得到廣泛的應用，同時在軍事、通訊、遙控等方面也得到廣泛的應用。用集成電路來裝配電子設備，其裝配密度比晶體管可提高幾十倍至幾千倍，設備的穩定工作時間也可大大提高。 編輯本段集成電路的分類 （一）按功能結構分類 集成電路按其功能、結構的不同，可以分為模擬集成電路、數字集成電路和數/模混合集成電路三大 集成電路 類。 模擬集成電路又稱線性電路,用來產生、放大和處理各種模擬信號（指幅度隨時間變化的信號。例如半導體收音機的音頻信號、錄放機的磁帶信號等），其輸入信號和輸出信號成比例關系。而數字集成電路用來產生、放大和處理各種數字信號（指在時間上和幅度上離散取值的信號。例如3G手機、數碼相機、電腦CPU、數字電視的邏輯控制和重放的音頻信號和視頻信號）。 （二）按制作工藝分類 集成電路按制作工藝可分為半導體集成電路和薄膜集成電路。 膜集成電路又分類厚膜集成電路和薄膜集成電路。 （三）按集成度高低分類 集成電路按集成度高低的不同可分為 SSI 小規模集成電路(Small Scale Integrated circuits) MSI 中規模集成電路(Medium Scale Integrated circuits) LSI 大規模集成電路(Large Scale Integrated circuits) VLSI 超大規模集成電路(Very Large Scale Integrated circuits) ULSI 特大規模集成電路(Ultra Large Scale Integrated circuits) GSI 巨大規模集成電路也被稱作極大規模集成電路或超特大規模集成電路(Giga Scale Integration)。 （四）按導電類型不同分類 集成電路按導電類型可分為雙極型集成電路和單極型集成電路,他們都是數字集成電路. 雙極型集成電路的制作工藝復雜，功耗較大，代表集成電路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等類型。單極型集成電路的制作工藝簡單，功耗也較低，易于制成大規模集成電路，代表集成電路有CMOS、NMOS、PMOS等類型。 （五）按用途分類 集成電路按用途可分為電視機用集成電路、音響用集成電路、影碟機用集成電路、錄像機用集成電 集成電路 路、電腦（微機）用集成電路、電子琴用集成電路、通信用集成電路、照相機用集成電路、遙控集成電路、語言集成電路、報警器用集成電路及各種專用集成電路。 1.電視機用集成電路包括行、場掃描集成電路、中放集成電路、伴音集成電路、彩色解碼集成電路、AV/TV轉換集成電路、開關電源集成電路、遙控集成電路、麗音解碼集成電路、畫中畫處理集成電路、微處理器（CPU）集成電路、存儲器集成電路等。 2.音響用集成電路包括AM/FM高中頻電路、立體聲解碼電路、音頻前置放大電路、音頻運算放大集成電路、音頻功率放大集成電路、環繞聲處理集成電路、電平驅動集成電路，電子音量控制集成電路、延時混響集成電路、電子開關集成電路等。 3.影碟機用集成電路有系統控制集成電路、視頻編碼集成電路、MPEG解碼集成電路、音頻信號處理集成電路、音響效果集成電路、RF信號處理集成電路、數字信號處理集成電路、伺服集成電路、電動機驅動集成電路等。 4.錄像機用集成電路有系統控制集成電路、伺服集成電路、驅動集成電路、音頻處理集成電路、視頻處理集成電路。 （六）按應用領域分 集成電路按應用領域可分為標準通用集成電路和專用集成電路。 (七)按外形分 集成電路按外形可分為圓形(金屬外殼晶體管封裝型,一般適合用于大功率)、扁平型(穩定性好,體積小)和雙列直插型. 編輯本段發明者 杰克·基爾比（Jack Kilby，1923年11月8日－2005年6月20日）在我們這個世界上，如果說有一項發明改變的不是某一領域，而是整個世界和革新了整個工業體系，那就是杰克發明的【集成電路IC】。 1958年9月12日，這是一個偉大時刻的開始，美國德州儀器公司工程師‘杰克.基爾比’發明了世界上第一個【集成電路IC】。這個裝置揭開了人類二十世紀電子革命的序幕，同時宣告了數字信息時代的來臨。 2000年他獲得了諾貝爾物理學獎，這是一個遲來了四十二年的諾貝爾物理學獎。這份殊榮，因為得獎時間相隔越久，也就越突顯他的成就。迄今為止，人類的電腦、手機.互聯網.電視.照相機.DVD及所有電子產品內的核心部件【集成電路】，都源于他的發明。 1947年，正好是貝爾實驗室宣布發明了晶體管的一年，應用晶體管組裝的電子設備還是太笨重了。顯然這時個人擁有一臺計算機，仍然是一個遙不可及的夢想。科技總是在一個個夢想的驅動下前進。1952年，英國雷達研究所的G·W·A·達默首先提出了集成電路的構想：把電子線路所需要的晶體三極管、晶體二極管和其它元件全部制作在一塊半導體晶片上。雖然從對杰克·基爾比的自述中我們看不出這一構想對他是否有影響，但我們也能感受到，微電子技術的概念即將從工程師們的思維里噴薄而出。當時在德州儀器專注電路小型化研究的基爾比，利用多數同事放假、無人打擾的兩周思考難題。就在貝爾實驗室慶祝發明電晶體十周年后一個月，基爾比靈光涌現，在辦公室寫下五頁關鍵性的實驗日志。 基爾比的新概念，是利用單獨一片矽做出完整的電路，如此可把電路縮到極小。當時同業都懷疑這想法是否可行，「我為不少技術論壇帶來娛樂效果，」基爾比在他所著「集成電路IC的誕生」一文中形容。1958年.世界上第一個集成電路IC【微芯片】在他的努力下誕生 編輯本段集成電路發展簡史 1.世界集成電路的發展歷史 1947年：貝爾實驗室肖特萊等人發明了晶體管，這是微電子技術發展中第一個里程碑； 集成電路 1950年：結型晶體管誕生； 1950年： R Ohl和肖特萊發明了離子注入工藝； 1951年：場效應晶體管發明； 1956年：C S Fuller發明了擴散工藝； 1958年：仙童公司Robert Noyce與德儀公司基爾比間隔數月分別發明了集成電路，開創了世界微電子學的歷史； 1960年：H H Loor和E Castellani發明了光刻工藝； 1962年：美國RCA公司研制出MOS場效應晶體管； 1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術，今天，95%以上的集成電路芯片都是基于CMOS工藝； 1964年：Intel摩爾提出摩爾定律，預測晶體管集成度將會每18個月增加1倍； 1966年：美國RCA公司研制出CMOS集成電路，并研制出第一塊門陣列（50門）； 1967年：應用材料公司（Applied Materials）成立，現已成為全球最大的半導體設備制造公司； 1971年：Intel推出1kb動態隨機存儲器（DRAM），標志著大規模集成電路出現； 1971年：全球第一個微處理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工藝，這是一個里程碑式的發明； 1974年：RCA公司推出第一個CMOS微處理器1802； 1976年：16kb DRAM和4kb SRAM問世； 1978年：64kb動態隨機存儲器誕生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14萬個晶體管，標志著超大規模集成電路（VLSI）時代的來臨； 1979年：Intel推出5MHz 8088微處理器，之后，IBM基于8088推出全球第一臺PC； 1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM問世； 1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM； 1985年：80386微處理器問世，20MHz； 1988年：16M DRAM問世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500萬個晶體管，標志著進入超大規模集成電路（VLSI）階段； 1989年：1Mb DRAM進入市場； 1989年：486微處理器推出，25MHz，1μm工藝，后來50MHz芯片采用 0.8μm工藝； 1992年：64M位隨機存儲器問世； 1993年：66MHz奔騰處理器推出,采用0.6μm工藝； 1995年:Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μm工藝； 集成電路 1997年：300MHz奔騰Ⅱ問世,采用0.25μm工藝； 1999年：奔騰Ⅲ問世，450MHz，采用0.25μm工藝，后采用0.18μm工藝； 2000年: 1Gb RAM投放市場； 2000年：奔騰4問世，1.5GHz，采用0.18μm工藝； 2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工藝。 2003年：奔騰4 E系列推出，采用90nm工藝。 2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工藝。 2007年：基于全新45納米High-K工藝的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。 2009年：intel酷睿i系列全新推出，創紀錄采用了領先的32納米工藝，并且下一代22納米工藝正在研發。 2.我國集成電路的發展歷史 我國集成電路產業誕生于六十年代，共經歷了三個發展階段： 1965年-1978年：以計算機和軍工配套為目標，以開發邏輯電路為主要產 品，初步建立集成電路工業基礎及相關設備、儀器、材料的配套條件； 1978年-1990年：主要引進美國二手設備，改善集成電路裝備水平，在“治散治亂”的同時，以消費類整機作為配套重點，較好地解決了彩電集成電路的國產化； 1990年-2000年：以908工程、909工程為重點，以CAD為突破口，抓好科技攻關和北方科研開發基地的建設，為信息產業服務，集成電路行業取得了新的發展。 編輯本段集成電路的封裝種類 1、BGA (ball grid array) 球形觸點陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點用 以 代替引 集成電路 腳，在印刷基板的正面裝配LSI 芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也 稱為凸 點陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI 用的一種封裝。 封裝本體也可做得比QFP(四側引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm 的360 引腳 BGA 僅為31mm 見方；而引腳中心距為0.5mm 的304 引腳QFP 為40mm 見方。而且BGA 不 用擔心QFP 那樣的引腳變形問題。 該封裝是美國Motorola 公司開發的，首先在便攜式電話等設備中被采用，今后在美國有 可 能在個人計算機中普及。最初，BGA 的引腳(凸點)中心距為1.5mm，引腳數為225。現在 也有 一些LSI 廠家正在開發500 引腳的BGA。 BGA 的問題是回流焊后的外觀檢查。現在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認為 ， 由于焊接的中心距較大，連接可以看作是穩定的，只能通過功能檢查來處理。 美國Motorola 公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱為 GPAC(見OMPAC 和GPAC)。 2、BQFP (quad flat package with bumper) 帶緩沖墊的四側引腳扁平封裝。QFP 封裝之一，在封裝本體的四個角設置突起(緩沖墊) 以 防止在運送過程中引腳發生彎曲變形。美國半導體廠家主要在微處理器和ASIC 等電路中 采用 此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數從84 到196 左右(見QFP)。 4、C－ (ceramic) 表示陶瓷封裝的記號。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在實際中經常使用的記號。 5、Cerdip 用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用于ECL RAM，DSP(數字信號處理器)等電路。帶有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外線擦除型EPROM 以及內部帶有EPROM 的微機電路等。引腳中 心 距2.54mm，引腳數從8 到42。在日本，此封裝表示為DIP－G(G 即玻璃密封的意思)。 6、Cerquad 表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封裝DSP 等的邏輯LSI 電路。帶有窗 口的 集成電路 Cerquad 用于封裝EPROM 電路。散熱性比塑料QFP 好，在自然空冷條件下可容許1. 5～ 2W 的功率。但封裝成本比塑料QFP 高3～5 倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多種規格。引腳數從32 到368。 帶引腳的陶瓷芯片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形 。 帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機電路等。此封裝也稱為 QFJ、QFJ－G(見QFJ)。 8、COB (chip on board) 板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術之一，半導體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與 基 板的電氣連接用引線縫合方法實現，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，并用 樹脂覆 蓋以確保可靠性。雖然COB 是最簡單的裸芯片貼裝技術，但它的封裝密度遠不如TAB 和 倒片 焊技術。 9、DFP (dual flat package) 雙側引腳扁平封裝。是SOP 的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法，現在已基本上不用。 10、DIC (dual in-line ceramic package) 陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP). http://baike.baidu.com/view/1355.htm

回答者：sunnan1984222016-03-27 00:00